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大日印が堅調推移、先端半導体向けナノインプリント用テンプレートを開発
大日本印刷<7912.T>が堅調推移。同社は9日、半導体の回路パターン形成に使用するナノインプリントリソグラフィー(NIL)向けに1.4ナノメートル(ナノは10億分の1)世代相当のロジック半導体にも対応可能な回路線幅10ナノメートルのテンプレートを開発したと発表した。製造コストの削減と環境負荷の低減を両立し、NAND型フラッシュメモリーや最先端ロジック半導体の微細化ニーズに対応する。半導体市場向け新製品の収益貢献の期待に加え、直近で国内証券会社による目標株価引き上げに動きがあったことも相まって、買いを誘う格好となった。
EUV(極端紫外線)リソグラフィーの一部工程の置き換え需要や、EUVリソグラフィーの生産プロセスを持たない顧客のニーズに対応。従来のArF(フッ化アルゴン)液浸やEUVなどの露光工程と比較し、電力消費量を約10分の1に抑えることができるという。大日印は2027年の量産開始を目指し、30年度にNILにおいて40億円の売り上げ増加を目指す。
出所:MINKABU PRESS
EUV(極端紫外線)リソグラフィーの一部工程の置き換え需要や、EUVリソグラフィーの生産プロセスを持たない顧客のニーズに対応。従来のArF(フッ化アルゴン)液浸やEUVなどの露光工程と比較し、電力消費量を約10分の1に抑えることができるという。大日印は2027年の量産開始を目指し、30年度にNILにおいて40億円の売り上げ増加を目指す。
出所:MINKABU PRESS
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